NJVMJD350T4G

De NJVMJD350T4G behoort tot een Bipolar Junction Transistor (BJT) chip, specifiek een PNP-type Bipolar Junction Transistor.Deze chip heeft een reeks specifieke specificaties en prestatie kenmerken..

Hier zijn de belangrijkste specificaties van de NJVMJD350T4G chip vertaald in het Engels:

• Maximale collectie-emitterspanning (VCEO)300 V
• Maximale basisspanning van de collector (VCBO)300 V
• Maximale basisspanning van de zender (VEBO): 3V
• Maximale gelijkstroom van de DC-collector (Ic): 500 mA (d.w.z. 0,5 A)
• Voltage van verzamelaar-emitter: kan onder specifieke omstandigheden tot 1 V dalen
• Energieverspilling (Pd): maximaal 15 W
• Gewin-bandbreedteproduct (fT): 10MHz
• Minimale werktemperatuur: -65°C
• Maximale werktemperatuur: +150°C

Bovendien heeft de NJVMJD350T4G-chip de volgende kenmerken:

• Pakkettype: wordt meestal geleverd in een DPAK-3 (TO-252-3) verpakking, die geschikt is voor toepassingen op oppervlakte-montageapparaten (SMD/SMT).
• RoHS-naleving: Voldoet aan de RoHS-vereisten, dus bevat geen lood of andere gevaarlijke stoffen.
• Toepassingen: Ontworpen voor gebruik in lijngesteunde audio-uitvoerversterkers, schakelmodussen en andere toepassingen die transistorversterking en schakelfuncties vereisen.

Kortom,de NJVMJD350T4G is een stabiele en veelzijdige PNP-type Bipolar Junction Transistor chip die veel wordt gebruikt in verschillende elektronische apparaten die transistorversterking en schakelmogelijkheden vereisen.