MMRF1314HR5

MMRF1314HR5 is een RF-vermogen transistor vervaardigd door NXP, speciaal ontworpen voor high-power RF toepassingen.

Basisparameters

• Productsoort: RF MOSFET-transistors (radiofrequentie-metaal-oxide-halfgeleiderveld-effect transistors)
• Vervaardiging: NXP
• Polariteit: N-kanaal
• Pakket: SOT1787
• Technologie: LDMOS (laterally diffused metal oxide semiconductor)

Elektrische parameters

• Werkfrequentie: 1200 tot 1400 MHz
• Uitgangsvermogen: 1000 W (piek)
• Typische winst (dB): 15,5 dB @ 1200 MHz (specifieke toename kan variëren met de frequentie)
• Afbraakspanning van de afvoerbron (Vds): niet rechtstreeks gespecificeerd, maar LDMOS-transistors hebben over het algemeen hoge breukspanningen
• Continu afvoerstroom (Id): niet rechtstreeks gespecificeerd, maar bepaald door de toepassings- en ontwerpeisen
• Spanning van de poortbron (Vgs): -6 V tot +10 V (bereik voor het regelen van de poortspanning)
• Energieverspilling (Pd): niet rechtstreeks gespecificeerd, maar vereist een goed warmteafvoerontwerp voor toepassingen met een hoog vermogen

Werktemperatuur

• Maximale werktemperatuur: +150°C
• Minimale werktemperatuur: -40°C

Toepassingskenmerken

• Breedbandoperatie: Interne in- en uitgangsmatching voor een gemakkelijke breedbandoperatie en -gebruik
• Configuratieflexibiliteit: Kan worden gebruikt in een-einde, push-pull, of quadrature configuraties
• Hoge robuustheid: Geschikt voor pulserende toepassingen, met name uitstekend voor militaire en commerciële radartoepassingen in de L-band met een hoog vermogen

Aanvullende informatie

• Pakket/hoesje: SMD/SMT (Surface-Mount Device/Surface-Mount Technology) verpakkingen, geschikt voor technologie voor oppervlakte-montage
• Verpakkingshoeveelheid: Gewoonlijk in bepaalde hoeveelheden verpakken (bijv. 50 stuks) per eenheid